Wat is het principe van vacuüm galvaniseren met regenboogkleuren?

Wat is het principe van vacuüm galvaniseren met regenboogkleuren?

De afstand van de verdampingsbron tot het substraat moet kleiner zijn dan het gemiddelde vrije pad van de dampmoleculen in het restgas om chemische interacties te vermijden die worden veroorzaakt door de botsing van de dampmoleculen met de restgasmoleculen. De gemiddelde kinetische energie van dampmoleculen is ongeveer 0,1 ~ 0,2 elektronvolt. Er zijn drie soorten verdampingsbronnen. (1) Weerstandsverwarmingsbron: met vuurvast metaal zoals wolfraam, tantaal gemaakt van bootfolie of filamenteus, met een elektrische stroom, verwarming erboven of geplaatst in de smeltkroes van verdampend materiaal. De weerstandsverwarmingsbron wordt voornamelijk gebruikt om Cd, Pb, Ag, Al, Cu, Cr, Au, Ni en andere materialen te verdampen. Hoogfrequente inductieverwarmingsbron: verwarmingskroes en verdampend materiaal met hoogfrequente inductiestroom; (3) Warmtebron met elektronenstraal: geschikt voor materialen met een hoge verdampingstemperatuur (niet minder dan 2000 [618-1]), dwz materialen die worden gebombardeerd met een elektronenstraal om ze te laten verdampen. Vergeleken met andere vacuümcoatingmethoden heeft verdampingscoating een hogere afzettingssnelheid en kan deze worden gebruikt om eenvoudige samengestelde films te vervaardigen die niet gemakkelijk door warmte worden afgebroken. Moleculaire bundelepitaxiemethode kan worden gebruikt om een ​​enkele kristallaag van hoge zuiverheid af te zetten. Groei - gedoteerde GaAlAs enkelkristallaag van moleculaire bundelepitaxie-inrichting. Een straaloven is uitgerust met een moleculaire straalbron, en wanneer deze onder ultrahoog vacuüm tot een bepaalde temperatuur wordt verwarmd, worden elementen in de oven in een stroom moleculaire stralen op het substraat uitgeworpen. Wanneer het substraat tot een bepaalde temperatuur wordt verwarmd, kunnen de op het substraat afgezette moleculen migreren en kan de kristalgroeivolgorde van het substraatrooster worden verkregen door moleculaire bundelepitaxie. De vereiste stoichiometrische verhouding van hoogzuivere samengestelde monokristallijne film kan worden verkregen. De langzaamste groeisnelheid van de film kan worden gecontroleerd binnen 1 monolaag seconde. Door het schot te besturen, kan de eenkristal dunne film met de vereiste samenstelling en structuur nauwkeurig worden gemaakt.

IKS PVD bedrijf, decoratieve coating machine, gereedschappen coating machine, optische coating mahcine, PVD vacuüm coting lijn. Neem nu contact met ons op, e-mail: iks.pvd@foxmail.com